MOSFET Transistor PTE10011 Datenblatt

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PTE10011

SI N-MOSFET Transistor

U_DS

65V

I_DS

-

U_GS

±20V

R_DS^ON

-

T_J

200°C

P_tot

28W

der PTE10011 ist ein Silizium N-MOSFET Transistor, Uds = 65V, Anwend: Großsignal- Verstärkerstufen bis 1.5GHz
marking code: E10011

Photo

-

Quelle

Ericsson RF power tr... [mehr]

Erweiterte Informationen zu PTE10011

OEM:

Ericsson Com... [mehr]

Gehäuse:

PTE10011 Info:

-

PTE10011 Datenblatt (pdf):

-

-

-

Komplementär Typ:

-

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U_DS

65V

I_DS

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U_GS

±20V

R_DS^ON

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T_J

200°C

P_tot

28W

der PTE10011 ist ein Silizium N-MOSFET Transistor, Uds = 65V, Anwend: Großsignal- Verstärkerstufen bis 1.5GHz
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