MOSFET transistor PTE10011 Hoja de dat.

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PTE10011

SI N-MOSFET transistor

U_DS

65V

I_DS

-

U_GS

±20V

R_DS^ON

-

T_J

200°C

P_tot

28W

el PTE10011 es un transistor de silicio N-MOSFET, Uds = 65V, d´application: en aplicaciones de amplificador de gran señal de hasta 1.5GHz
marking code: E10011

Foto

-

Fuente

Ericsson RF power tr... [más]

Información avanzada para PTE10011

OEM:

Ericsson Com... [más]

Paquete:

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Warning: Undefined variable $fullsize_click in /var/www/html/semicon-data/server-data/transistor/tmfet/pa/PTE10011.php on line 542

PTE10011 Info:

-

PTE10011 Hoja de datos (pdf):

-

-

-

Tipo complementario:

-

PTE10011

SI N-MOSFET transistor

U_DS

65V

I_DS

-

U_GS

±20V

R_DS^ON

-

T_J

200°C

P_tot

28W

el PTE10011 es un transistor de silicio N-MOSFET, Uds = 65V, d´application: en aplicaciones de amplificador de gran señal de hasta 1.5GHz
marking code: E10011

Foto

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Fuente

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Información avanzada para PTE10011

OEM:

Ericsson Com... [más]

Paquete:

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Warning: Undefined variable $fullsize_click in /var/www/html/semicon-data/server-data/transistor/tmfet/pa/PTE10011.php on line 821

PTE10011 Info:

-

PTE10011 Hoja de datos (pdf):

-

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Tipo complementario:

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