MOSFET transistor PTE10011 schede tecn.

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PTE10011

SI N-MOSFET transistor

U_DS

65V

I_DS

-

U_GS

±20V

R_DS^ON

-

T_J

200°C

P_tot

28W

PTE10011 è un transistor silicio N-MOSFET, Uds = 65V, d´application: stadi amplificatore grande segnale fino 1.5GHz
marking code: E10011

Foto

-

fonte

Ericsson RF power transistors 1999 Data Book

Informazioni aggiuntive per PTE10011

OEM:

Ericsson Com... [piú]

copertura:

PTE10011 Info:

-

PTE10011 scheda tecnica (pdf):

-

-

-

prodotto complementare:

-

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U_DS

65V

I_DS

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U_GS

±20V

R_DS^ON

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T_J

200°C

P_tot

28W

PTE10011 è un transistor silicio N-MOSFET, Uds = 65V, d´application: stadi amplificatore grande segnale fino 1.5GHz
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Informazioni aggiuntive per PTE10011

OEM:

Ericsson Com... [piú]

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