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LAE4002R
SI NPN transistor
UCE/UCB
35V/40V
IC
90mA
hFE
15-150
fT
4GHz
Ptot
0.625W
TJ
200°C
LAE4002R è un transistor silicio NPN, Uce = 35V, Ic = 90mA, d´application: amplificatore di potenza classe A in circuito emettitore fino a 4GHz, transistor di potenza microonde
Foto
-
fonte
PSC Philips Data Han... [piú]
Informazioni aggiuntive per LAE4002R
OEM:
Philips Semi... [piú]
copertura:
SOT100
LAE4002R Info:
-
LAE4002R scheda tecnica (pdf):
-
-
-
prodotto complementare:
-
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LAE4002R
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hFE
15-150
fT
4GHz
Ptot
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