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LAE4001R
SI NPN transistor
UCE/UCB
25V/30V
IC
80mA
hFE
20-220
fT
4GHz
Ptot
0.48W
TJ
200°C
LAE4001R è un transistor silicio NPN, Uce = 25V, Ic = 80mA, d´application: amplificatore di potenza classe A in circuito emettitore fino a 4GHz, transistor di potenza microonde
Informazioni aggiuntive per LAE4001R
copertura:
LAE4001R Info:
-
LAE4001R scheda tecnica (pdf):
-
-
-
prodotto complementare:
-
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maschera di ricerca prodotti simili:
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fT
4GHz
Ptot
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TJ
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LAE4001R è un transistor silicio NPN, Uce = 25V, Ic = 80mA, d´application: amplificatore di potenza classe A in circuito emettitore fino a 4GHz, transistor di potenza microonde
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agb