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LAE4002R
SI NPN Transistor
UCE/UCB
35V/40V
IC
90mA
hFE
15-150
fT
4GHz
Ptot
0.625W
TJ
200°C
der LAE4002R ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 35V, Ic = 90mA, Anwend: Leistungsverstärker in Class A Emitterschaltung bis zu 4GHz, Mikrowellen Leistungstransistor
Photo
-
Quelle
PSC Philips Data Han... [mehr]
Erweiterte Informationen zu LAE4002R
OEM:
Philips Semi... [mehr]
Gehäuse:
SOT100
LAE4002R Info:
-
LAE4002R Datenblatt (pdf):
-
-
-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:
Suche Vergleichstyp
LAE4002R
SI NPN Transistor
UCE/UCB
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hFE
15-150
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Ptot
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