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AF109R
GE PNP Transistor
UCE/UCB
-15V/-20V
IC
-10mA
hFE
20-75
fT
260MHz
Ptot
60mW
TJ
90°C
der AF109R ist ein Germanium PNP Transistor, Uce = 15V, Ic = 10mA, Anwend: geregelte Vorstufen, max. 260MHz, HF mesa Transistor
Erweiterte Informationen zu AF109R
OEM:
Siemens AG
Gehäuse:
AF109R Info:
AF109R Datenblatt (pdf):
-
-
Komplementär Typ:
-
AF239S
Suchmaske Vergleichstyp:
AF109R
GE PNP Transistor
UCE/UCB
-15V/-20V
IC
-10mA
hFE
20-75
fT
260MHz
Ptot
60mW
TJ
90°C
der AF109R ist ein Germanium PNP Transistor, Uce = 15V, Ic = 10mA, Anwend: geregelte Vorstufen, max. 260MHz, HF mesa Transistor
Erweiterte Informationen zu AF109R
OEM:
Siemens AG
Gehäuse:
AF109R Info:
AF109R Datenblatt (pdf):
-
-
Komplementär Typ:
-
AF239S
Suchmaske Vergleichstyp:
AF109R
GE PNP Transistor
UCE/UCB
-15V/-20V
IC
-10mA
hFE
20-75
fT
260MHz
Ptot
60mW
TJ
90°C
der AF109R ist ein Germanium PNP Transistor, Uce = 15V, Ic = 10mA, Anwend: geregelte Vorstufen, maximal 260MHz
Erweiterte Informationen zu AF109R
AF109R Info:
AF109R Datenblatt (pdf):
-
-
Komplementär Typ:
-
AF239S
Suchmaske Vergleichstyp:
AF109R
GE PNP Transistor
UCE/UCB
-15V/-20V
IC
-10mA
hFE
20-75
fT
260MHz
Ptot
60mW
TJ
90°C
der AF109R ist ein Germanium PNP Transistor, Uce = 15V, Ic = 10mA, Anwend: geregelte Vorstufen, maximal 260MHz
Erweiterte Informationen zu AF109R
AF109R Info:
AF109R Datenblatt (pdf):
-
-
Komplementär Typ:
-
AF239S
Suchmaske Vergleichstyp:
agb