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HGTB12N60D1C
SI N-IGBT Transistor
UCE
600V
UGE
±25V
ICDC/AC
12A/40A
TON/TOFF
100/400nS
Ptot
75W
TJ
150°C
der HGTB12N60D1C ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 600V, Ic = 12A, Anwend: Motor Treiber, Leistungs- Schalttransistor
Photo
-
Quelle
Harris Databook Powe... [mehr]
Erweiterte Informationen zu HGTB12N60D1C
OEM:
Harris Semic... [mehr]
Gehäuse:
TS-001-5
HGTB12N60D1C Info:
anzeigen
HGTB12N60D1C Datenblatt (pdf):
-
-
-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:
-
HGTB12N60D1C
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UCE
600V
UGE
±25V
ICDC/AC
12A/40A
TON/TOFF
100/400nS
Ptot
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der HGTB12N60D1C ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 600V, Ic = 12A, Anwend: Motor Treiber, Leistungs- Schalttransistor
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