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HGTA32N60E2
SI N-IGBT Transistor
UCE
600V
UGE
±20V
ICDC/AC
50A/200A
TON/TOFF
100/630nS
Ptot
208W
TJ
150°C
der HGTA32N60E2 ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 600V, Ic = 50A, Anwend: Motor Treiber, Leistungs- Schalttransistor
Erweiterte Informationen zu HGTA32N60E2
Gehäuse:
TO-218-5
HGTA32N60E2 Info:
HGTA32N60E2 Datenblatt (pdf):
-
-
-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:
-
HGTA32N60E2
SI N-IGBT Transistor
UCE
600V
UGE
±20V
ICDC/AC
50A/200A
TON/TOFF
100/630nS
Ptot
208W
TJ
150°C
der HGTA32N60E2 ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 600V, Ic = 50A, Anwend: Motor Treiber, Leistungs- Schalttransistor
Erweiterte Informationen zu HGTA32N60E2
Gehäuse:
TO-218-5
HGTA32N60E2 Info:
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Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:
-
agb