MOSFET Transistor RFB18N10CS Datenblatt

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RFB18N10CS

SI N-MOSFET Transistor

U_DS

100V

I_DS^DC/AC

18A/56A

U_GS

±20V

R_DS^ON/I_DS

100mΩ/9A

T_ON/T_OFF

14/33nS

P_tot

79W

der RFB18N10CS ist ein Silizium N-MOSFET Transistor, Uds = 100V, Ids = 18A, Anwend: Leistungs- Schalttransistor

Photo

-

Quelle

Harris Databook Powe... [mehr]

Erweiterte Informationen zu RFB18N10CS

OEM:

Harris Semic... [mehr]

Gehäuse:

TS-001-5

RFB18N10CS Info:

RFB18N10CS Datenblatt (pdf):

-

-

-

Komplementär Typ:

-

RFB18N10CS

SI N-MOSFET Transistor

U_DS

100V

I_DS^DC/AC

18A/56A

U_GS

±20V

R_DS^ON/I_DS

100mΩ/9A

T_ON/T_OFF

14/33nS

P_tot

79W

der RFB18N10CS ist ein Silizium N-MOSFET Transistor, Uds = 100V, Ids = 18A, Anwend: Leistungs- Schalttransistor

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Komplementär Typ:

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