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2SJ55
SI P-MOSFET Transistor
UDS
180V
IDS
8A
UGS
±20V
RDSON
-
TON/TOFF
320/120nS
Ptot
125W
der 2SJ55 ist ein Silizium P-MOSFET Transistor, Uds = 180V, Ids = 8A, Anwend: NF- Stufen, Leistungstransistor
Erweiterte Informationen zu 2SJ55
Gehäuse:
2SJ55 Info:
2SJ55 Datenblatt (pdf):
-
-
2SK175
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:
2SJ55
SI P-MOSFET Transistor
UDS
180V
IDS
8A
UGS
±20V
RDSON
-
TON/TOFF
320/120nS
Ptot
125W
der 2SJ55 ist ein Silizium P-MOSFET Transistor, Uds = 180V, Ids = 8A, Anwend: NF- Stufen, Leistungstransistor
Erweiterte Informationen zu 2SJ55
Gehäuse:
2SJ55 Info:
2SJ55 Datenblatt (pdf):
-
-
2SK175
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:
agb