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J111
SI P-FET Transistor
UDS
-25V
IDS
-5..-30mA
IG
-
RDSON
-
TJ
-
Ptot
-
der J111 ist ein Silizium PFET Transistor, Uds = 25V, Anwend: Verstärker- und Schaltstufen, NF- Transistor, rauscharm
Photo
-
Quelle
2SJ111
Erweiterte Informationen zu J111
OEM:
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:
-
J111 Info:
-
J111 Datenblatt (pdf):
-
-
-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:
-
J111
SI P-FET Transistor
UDS
-25V
IDS
-5..-30mA
IG
-
RDSON
-
TJ
-
Ptot
-
der J111 ist ein Silizium PFET Transistor, Uds = 25V, Anwend: Verstärker- und Schaltstufen, NF- Transistor, rauscharm
Photo
-
Quelle
2SJ111
Erweiterte Informationen zu J111
OEM:
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:
-
J111 Info:
-
J111 Datenblatt (pdf):
-
-
-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:
-
J111
SI N-FET Transistor
UDS
40V
IDS
>20mA
IG
-
RDSON
30mΩ
TON/TOFF
13/35nS
Ptot
-
der J111 ist ein Silizium NFET Transistor, Uds = 40V, Anwend: Verstärkerstufen mit symetrischem Aufbau
Photo
-
Quelle
Jaeger electronic ca... [mehr]
Erweiterte Informationen zu J111
OEM:
Philips Semi... [mehr]
Gehäuse:
TO-92
J111 Info:
-
J111 Datenblatt (pdf):
-
-
-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen: ↓
BSJ111
Suchmaske Vergleichstyp:
-
J111
SI N-FET Transistor
UDS
40V
IDS
>20mA
IG
-
RDSON
30mΩ
TON/TOFF
13/35nS
Ptot
-
der J111 ist ein Silizium NFET Transistor, Uds = 40V, Anwend: Verstärkerstufen mit symetrischem Aufbau
Photo
-
Quelle
Jaeger electronic ca... [mehr]
Erweiterte Informationen zu J111
OEM:
Philips Semi... [mehr]
Gehäuse:
TO-92
J111 Info:
-
J111 Datenblatt (pdf):
-
-
-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen: ↓
BSJ111
Suchmaske Vergleichstyp:
-
Impressum
Angaben ohne Gewähr
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