Transistor R1009 Datenblatt

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R1009

SI NPN Transistor

U_CE/U_CB

40V/40V

I_C

100mA

h_FE

100-600

f_T

250MHz

P_tot

0.3W

T_J

150°C

der R1009 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 40V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Bias - Widerstand integriert

Photo

-

Quelle

KSR1009

Erweiterte Informationen zu R1009

OEM:

Samsung Elec... [mehr]

Gehäuse:

R1009 Info:

-

R1009 Datenblatt (pdf):

-

-

-

Komplementär Typ:

-

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U_CE/U_CB

40V/40V

I_C

100mA

h_FE

100-600

f_T

250MHz

P_tot

0.3W

T_J

150°C

der R1009 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 40V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Bias - Widerstand integriert

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