Transistor R1003 Datenblatt

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R1003

SI NPN Transistor

U_CE/U_CB

50V/50V

I_C

100mA

h_FE

>56

f_T

250MHz

P_tot

0.3W

T_J

150°C

der R1003 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Bias - Widerstand integriert

Photo

-

Quelle

KSR1003

Erweiterte Informationen zu R1003

OEM:

Samsung Elec... [mehr]

Gehäuse:

R1003 Info:

-

R1003 Datenblatt (pdf):

-

-

-

Komplementär Typ:

-

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50V/50V

I_C

100mA

h_FE

>56

f_T

250MHz

P_tot

0.3W

T_J

150°C

der R1003 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Bias - Widerstand integriert

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