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LAE4001R
SI NPN Transistor
UCE/UCB
25V/30V
IC
80mA
hFE
20-220
fT
4GHz
Ptot
0.48W
TJ
200°C
der LAE4001R ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 25V, Ic = 80mA, Anwend: Leistungsverstärker in Class A Emitterschaltung bis zu 4GHz, Mikrowellen Leistungstransistor
Photo
-
Quelle
PSC Philips Data Han... [mehr]
Erweiterte Informationen zu LAE4001R
OEM:
Philips Semiconductors
Gehäuse:
SOT100
LAE4001R Info:
-
LAE4001R Datenblatt (pdf):
-
-
-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:
Suche Vergleichstyp
LAE4001R
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UCE/UCB
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IC
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hFE
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fT
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Ptot
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