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ESMT5070DF
SI NPN darlington Transistor
UCE/UCB
700V/1kV
IC
50A
hFE
-
TON/TOFF
<18µS
Ptot
300W
TJ
-
der ESMT5070DF ist ein Silizium NPN darlington Transistor, Uce = 700V, Ic = 50A, Anwend: Leistungs- Schalttransistor, integrierte Diode
Erweiterte Informationen zu ESMT5070DF
Gehäuse:
-
ESMT5070DF Info:
-
ESMT5070DF Datenblatt (pdf):
-
-
-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:
ESMT5070DF
SI NPN darlington Transistor
UCE/UCB
700V/1kV
IC
50A
hFE
-
TON/TOFF
<18µS
Ptot
300W
TJ
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der ESMT5070DF ist ein Silizium NPN darlington Transistor, Uce = 700V, Ic = 50A, Anwend: Leistungs- Schalttransistor, integrierte Diode
Erweiterte Informationen zu ESMT5070DF
Gehäuse:
-
ESMT5070DF Info:
-
ESMT5070DF Datenblatt (pdf):
-
-
-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:
agb