EN
DE
FR
IT
ES

Für den Einsatz von Cookies auf dieser Webseite ist Ihre Zustimmung erforderlich

EN
DE
FR
IT
ES
Während der Nutzung dieser Webseite werden Nutzungsdaten erhoben. Diese können sein: Nutzungsprotokolle sowie Traffic- Analysen. Einige Informationen werden in Cookies gespeichert. Cookies sind Text-Dateien die auf Ihrem Computer gespeichert werden, während Sie im Internet surfen. Die Datenschutzerklärung dieser Webseite beinhaltet erweiterte Informationen zum Schutz Ihrer Daten. Es werden nur technisch notwendige Cookies verwendet.
Um dieses Fenster erneut aufzurufen, klicken Sie bitte auf die cookies - Schaltfläche im unteren Bereich der jeweiligen Seite.
Impressum
Datenschutzerklärung
Ihre personenbezogenen Daten werden von mir weder weitergegeben noch verkauft
 
Seite:
changes to earlier versions:

server platform changed (cost reduction)
domain name changed (cost reduction)
shop removed (work load reduction)

the transformation has taken a while
i apologize for any inconvenience

some content was created using google translator
1MB03D-120
SI N-IGBT Transistor
UCE
1.2kV
UGE
±20V
ICDC/AC
5A/15A
TON/TOFF
1.2/1.5µS
Ptot
70W
TJ
150°C
der 1MB03D-120 ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 5A, Anwend: Motor Treiber, Leistungs- Schalttransistor, integrierte Diode
Photo
-
Quelle
datasheet
Erweiterte Informationen zu 1MB03D-120
Gehäuse:
1MB03
1MB03D-120 Info:
-
1MB03D-120 Datenblatt (pdf):
-
-
-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:
-
1MB03D-120
SI N-IGBT Transistor
UCE
1.2kV
UGE
±20V
ICDC/AC
5A/15A
TON/TOFF
1.2/1.5µS
Ptot
70W
TJ
150°C
der 1MB03D-120 ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 5A, Anwend: Motor Treiber, Leistungs- Schalttransistor, integrierte Diode
Photo
-
Quelle
datasheet
Erweiterte Informationen zu 1MB03D-120
Gehäuse:
1MB03
1MB03D-120 Info:
-
1MB03D-120 Datenblatt (pdf):
-
-
-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:
-
agb