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BZ102/0V7
SI Z- Diode
UZ
0.7V
IZ
0.25A
rdif
6.5Ω
Tol.
-
Ptot
0.25W
TJ
150°C
die BZ102/0V7 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 0.7V, N = 250mW, Anwend: allgemeine Spannungsstabilisierung sowie zum begrenzen der Basis- Emitterspannung in Transistorschaltungen
Erweiterte Informationen zu BZ102/0V7
Gehäuse:
BZ102/0V7 Info:
BZ102/0V7 Datenblatt (pdf):
-
-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:
BZ102/0V7
SI Z- Diode
UZ
0.7V
IZ
0.25A
rdif
6.5Ω
Tol.
-
Ptot
0.25W
TJ
150°C
die BZ102/0V7 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 0.7V, N = 250mW, Anwend: allgemeine Spannungsstabilisierung sowie zum begrenzen der Basis- Emitterspannung in Transistorschaltungen
Erweiterte Informationen zu BZ102/0V7
Gehäuse:
BZ102/0V7 Info:
BZ102/0V7 Datenblatt (pdf):
-
-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:
agb