Z-Diode 1AZ6.8 Datenblatt

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1AZ6.8

SI Z- Diode

U_Z

6.8V

I_Z

10mA

r_dif

60Ω

Tol.

-

P_tot

1W

T_J

150°C

die 1AZ6.8 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 6.8V, N = 1W, Anwend: Z- Diode

Photo

-

Quelle

datasheet

Erweiterte Informationen zu 1AZ6

OEM:

Toshiba Toky... [mehr]

Gehäuse:

1AZ6.8 Info:

-

1AZ6.8 Datenblatt (pdf):

-

-

-

Komplementär Typ:

-

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U_Z

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I_Z

10mA

r_dif

60Ω

Tol.

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1W

T_J

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