Diode JDP2S02T Datenblatt

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JDP2S02T

SI Diode

U_R

30V

I_F

50mA

U_F

-

F

-

P_tot

-

T_J

125°C

die JDP2S02T ist eine Silizium Diode, U = 30V, I = 50mA, Anwend: HF- Abschwächer, PIN- Diode, VHF und UHF- Bereich
marking code: F.2

Photo

-

Quelle

datasheet

Erweiterte Informationen zu JDP2S02T

OEM:

Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan

Gehäuse:

-

JDP2S02T Info:

-

JDP2S02T Datenblatt (pdf):

-

-

-

Komplementär Typ:

-

JDP2S02T

SI Diode

U_R

30V

I_F

50mA

U_F

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P_tot

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T_J

125°C

die JDP2S02T ist eine Silizium Diode, U = 30V, I = 50mA, Anwend: HF- Abschwächer, PIN- Diode, VHF und UHF- Bereich
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Photo

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OEM:

Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan

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Komplementär Typ:

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