Diode 2100GXHH22 Datenblatt

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2100GXHH22

SI Diode

U_R

4.5kV

I_F

2.1kA (~)

U_F/I_F

4.5V/6.5kA

t_rr

9µS

P_tot

-

T_J

125°C

die 2100GXHH22 ist eine Silizium Diode, U = 4.5kV, I = 2100A

Photo

-

Quelle

datasheet

Erweiterte Informationen zu 2100GXHH22

OEM:

Toshiba Toky... [mehr]

Gehäuse:

-

2100GXHH22 Info:

-

2100GXHH22 Datenblatt (pdf):

-

-

-

Komplementär Typ:

-

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SI Diode

U_R

4.5kV

I_F

2.1kA (~)

U_F/I_F

4.5V/6.5kA

t_rr

9µS

P_tot

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T_J

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