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1P649
SI Diode
UR
600V
IF
0.4A
UF
-
trr
500nS
Ptot
-
TJ
150°C
die 1P649 ist eine Silizium Diode, U = 600V, I = 400mA, Anwend: schneller Gleichrichter
Erweiterte Informationen zu 1P649
Gehäuse:
-
1P649 Info:
1P649 Datenblatt (pdf):
-
-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:
1P649
SI Diode
UR
600V
IF
0.4A
UF
-
trr
500nS
Ptot
-
TJ
150°C
die 1P649 ist eine Silizium Diode, U = 600V, I = 400mA, Anwend: schneller Gleichrichter
Erweiterte Informationen zu 1P649
Gehäuse:
-
1P649 Info:
1P649 Datenblatt (pdf):
-
-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:
agb